MPCVD设备在沉积金刚石膜的工艺方面具有以下共性∶

1. 碳源。包括各种含碳化合物甚至石墨，如烷、烃、烯、炔醇、酮、CO、CO2及CF4等；

2. 氢气。这是抑制石墨形核、生长并刻蚀共生石墨的主要气体；

3. 合适的碳氢比。气源中C/H比一般在10%以下；

4. 合适的基片温度。除低温沉积的特殊性外，基片温度一般限制在700℃-1200℃的范围内；

5. 低的工作气压。一般小于一个大气压。

6. 气体激活技术。至少要有一种（或几种）气体激活技术来激发碳源和氢气，产生具有活性含碳基团和原子氢的金刚石膜沉积气氛。